EMI不同频段干扰原因及抑制办法详解
说起过EMI测试，相信不少小伙伴是饱受该调试项目的折磨。电路基本功能都OK，就这测试过不了眼看项目就要GG了。
不用担心，来看看我们收集的调试经验也许可以令你的调试思路突然灵光一闪也说不定呢。
1MHZ以内----以差模干扰为主
1.增大X电容量；
2.添加差模电感；
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共模混合
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量；
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
5M---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用；
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20--30MHZ
1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；
2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；
3.在变压器外面包铜箔；变压器*里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
4.改变PCB LAYOUT；
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9. 可以用增大MOS驱动电阻
30---50MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
1.可以用增大MOS驱动电阻；
2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
6.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起
1.可以在整流管上串磁珠；
2.调整输出整流管的吸收电路参数；
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET；
铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点)。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射
6.在整流二极管上并RC低通滤波电路，不断微调RC参数 放低频率限值（这招在其它措施无效时，往往有奇效）
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准
补充说明:
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的，以上未加缀述
开关电源是高频产品，PCB的元器件布局对EMI，请密切注意此点
开关电源若有机械外壳，外壳的结构对辐射有很大的影响，请密切注意此点
主开关管，主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异，对EMC有一定的影响。