EMI不同頻段干擾原因及抑制辦法詳解
說起過EMI測試，相信不少小伙伴是飽受該調試項目的折磨。電路基本功能都OK，就這測試過不了眼看項目就要GG了。
不用擔心，來看看我們收集的調試經驗也許可以令你的調試思路突然靈光一閃也說不定呢。
1MHZ以內----以差模干擾為主
1.增大X電容量；
2.添加差模電感；
3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共模混合
采用輸入端并聯一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，
1.對于差模干擾超標可調整X電容量,添加差模電感器，調差模電感量；
2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制；
3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。
5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法
對于外殼接地的，在地線上用一個磁環串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用；
可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環
處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯電容的大小。
對于20--30MHZ
1.對于一類產品可以采用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；
2.調整一二次側間的Y1電容位置及參數值；
3.在變壓器外面包銅箔；變壓器*里層加屏蔽層；調整變壓器的各繞組的排布。
4.改變PCB LAYOUT；
5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；
6.在輸出整流管兩端并聯RC濾波器且調整合理的參數；
7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。
9. 可以用增大MOS驅動電阻
30---50MHZ 普遍是MOS管高速開通關斷引起
1.可以用增大MOS驅動電阻；
2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；
3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決；
4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；
5.在MOSFET的D-S腳并聯一個小吸收電路；
6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；
8.PCB心LAYOUT時大電解電容，變壓器，MOS構成的電路環盡可能的小；
9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起
1.可以在整流管上串磁珠；
2.調整輸出整流管的吸收電路參數；
3.可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當的電阻；
4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET；
鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點)。
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射
6.在整流二極管上并RC低通濾波電路，不斷微調RC參數 放低頻率限值（這招在其它措施無效時，往往有奇效）
200MHZ以上開關電源已基本輻射量很小，一般可過EMI標準
補充說明:
開關電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的，以上未加綴述
開關電源是高頻產品，PCB的元器件布局對EMI，請密切注意此點
開關電源若有機械外殼，外殼的結構對輻射有很大的影響，請密切注意此點
主開關管，主二極管不同的生產廠家參數有一定的差異，對EMC有一定的影響。